本科生微電子器件及材料實驗目的

通過實驗動手操作，加深對半導體物理理論知識的理解，掌握半導體材料和不同器件性能的表征方法及基本實驗技能，培養分析問題和解決問題的能力。

本科生微電子器件及材料實驗目錄

實驗一：金屬-氧化物-半導體場效應晶體管特性IV特性測試實驗

實驗二：四探針法測量半導體電阻率測試實驗

實驗三： MOS電容的CV特性測試實驗

實驗四：半導體霍爾效應測試實驗實驗

實驗五：激光二極管LD的LIV特性測試實驗

實驗六：太陽能電池的特性表征實驗

本科生微電子器件及材料實驗測試平臺優勢

滿足本科生基礎教學實驗中微電子器件和材料測試需求

測試設備簡單易用，專業，方便學生動手操作

核心設備測試精度高，滿足新材料和新器件的指標要求

測試軟件功能齊全，平臺化設計，有專人維護支持，與專業測試軟件使用相同架構

以基礎平臺為起點，可逐步升級，滿足日益增加的實驗室測試需求

本科生微電子器件及材料實驗測試平臺基本功能

實驗名稱

測試參數

金屬-氧化物-半導體場效應晶體管特性的IV特性測試實驗

l輸出特性曲線

l轉移特性曲線

l跨導gm

l擊穿電壓BVDS

l

四探針法測量半導體電阻率測試實驗

l四探針法電阻率ρ

l材料阻值R

MOS電容的CV特性測試實驗（低頻 + 高頻）

lCV特性曲線

半導體霍爾效應測試實驗

l霍爾電壓VH

l霍爾電阻率ρ

l霍爾系數RH

l載流子濃度n

l霍爾遷移率u

激光二極管LD的LIV特性測試

lLIV特性曲線

l閾值電流Ith

l閾值電流對應電壓值Vth

l拐點Kink

l線性電阻Rs

太陽能電池的特性表征

l開路電壓Voc

l短路電流Isc

l功率值Pmax

l填充因子FF

l轉換效率η

l串聯電阻Rs

l旁路電阻Rsh

本科生微電子器件及材料實驗測試平臺核心

測試平臺的核心– 源測量單元（源表， SMU）

普賽斯國產源表五表合一四象限模式

四線/開爾文測試功能

小信號測試

滿足先進器件和材料測試需求

交流測試使用LCR表

探針臺：4寸或6寸手動探針臺

有關S型源表搭建微電子器件與材料實驗的更多信息請咨詢一八一四零六六三四七六