5V-12V升24V+60V/20A的NMOS

AH6953為一款頻率可調、外置MOSFET大電流升壓芯片，電路PWM輸出直接驅動N溝道場效應管驅動升壓實現大電流輸出，芯片的輸入范圍為2.2V-15V，該控制器采用獨特的控制方案，PWM（脈沖寬度調制）的優(yōu)越性，提供一個、較寬電壓調節(jié)范圍的電源。具有較小的靜態(tài)電流，在重載情況下具有較高的效率，噪聲小。采用很小體積的外圍元件就可獲得滿意的輸出紋波，這樣便于降低電路成本及電路的尺寸。AH6953廣泛應用于CCD/CATV/PMPDSC/DSV、STB/VGA Card、DPF(數碼相框)、LCD Panel背光、移動電源、應急充電器，其基本特性如下：

@提供高度參考電壓源: 0.5V(+/-2％)

@Totem Pole 輸出PWM 信號，用以直接推動NMOS

@寬工作電壓范圍：3.6V-15V

@寬工作頻率范圍：50KHz1MHz

@欠壓IC 栓鎖功能(UVLO)

@PWM DTC 限制：75％

@軟開機及短路保護功能 (Soft-Start amp；am SCP)

@省電功能 (Shutdow Mode)

@采用TSSOP-8L封裝

MOS管應用參數，MOS管參數，MOS管產品大全，場效應管應用參數，場效應管參數，場效應管產品大全

產品型號 電壓參數 電流參數 阻值參數 封裝參數

20N03 電壓/30V 電流/20A 內阻/26mΩ 封裝 TO-252/SOP-8

60N03 電壓/30V 電流/60A 內阻/13mΩ 封裝 TO-252/TO-220鐵

80N03 電壓/30V 電流/80A 內阻/10mΩ 封裝 TO-252

85N03 電壓/30V 電流/85A 內阻/ 8mΩ 封裝 TO-252

150N03 電壓/30V 電流/150A 內阻/4mΩ 封裝 TO-220鐵

30P03 電壓/30V 電流/30A 內阻/30mΩ 封裝 TO-252

20N04 電壓/40V 電流/20A 內阻/35mΩ 封裝 TO-252

60N04 電壓/40V 電流/60A 內阻/ 5mΩ 封裝 TO-252

20N06 電壓/60V 電流/20A 內阻/50mΩ 封裝 TO-252

50N06 電壓/60V 電流/50A 內阻/20mΩ 封裝 TO-252/TO-220F/SOP-8

75N75 電壓/75V 電流/75A 內阻/9 mΩ 封裝 TO-220鐵

我們專業(yè)生產銷售各種高低壓大小功率MOS場效應管，如果你有需要請和我們聯系13538067573-XV同號

MOS管又稱場效應管，即在集成電路中絕緣性場效應管。MOS英文全稱為Metal-Oxide-Semiconductor即金屬-氧化物-半導體，確切的說，這個名字描述了集成電路中MOS管的結構，即：在一定結構的半導體器件上，加上二氧化硅和金屬，形成柵極。MOS管的source和drain是可以對調的，都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數情況下，兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能,這樣的器件被認為是對稱的。MOS管的工作原理(以N溝道增強型MOS場效應管)它是利用VGS來控制“感應電荷”的多少，以改變由這些“感應電荷”形成的導電溝道的狀況，然后達到控制漏極電流的目的。在制造管子時，通過工藝使絕緣層中出現大量正離子，故在交界面的另一側能感應出較多的負電荷，這些負電荷把高滲雜質的N區(qū)接通，形成了導電溝道，即使在VGS=0時也有較大的漏極電流ID。當柵極電壓改變時，溝道內被感應的電荷量也改變，導電溝道的寬窄也隨之而變，因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化。