四端測(cè)試法是目前較之測(cè)試方法，主要針對(duì)高精度要求之產(chǎn)品測(cè)試；本儀器廣泛用于生產(chǎn)企業(yè)、高等院校、科研部門，是檢驗(yàn)和分析導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體材料質(zhì)量的一種重要的工具。

國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)分類中，四探針法涉及到半導(dǎo)體材料、金屬材料試驗(yàn)、絕緣流體、獸醫(yī)學(xué)、復(fù)合增強(qiáng)材料、電工器件、無損檢測(cè)、集成電路、微電子學(xué)、土質(zhì)、土壤學(xué)、水質(zhì)、電子顯示器件、有色金屬。

在中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)分類中，四探針法涉及到半金屬與半導(dǎo)體材料綜合、金屬物理性能試驗(yàn)方法、、、電工合金零件、特種陶瓷、質(zhì)譜儀、液譜儀、能譜儀及其聯(lián)用裝置、電阻器、半導(dǎo)體集成電路、工程地質(zhì)、水文地質(zhì)勘察與巖土工程、水環(huán)境有毒害物質(zhì)分析方法、電工材料和通用零件綜合、半金屬、元素半導(dǎo)體材料、金屬無損檢驗(yàn)方法。

GB/T 6617-2009 硅片電阻率測(cè)定 擴(kuò)展電阻探針法

GB/T 14141-2009 硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層薄層電阻的測(cè)定.直排四探針法

GB/T 1551-1995 硅、鍺單晶電阻率測(cè)定 直流兩探針法

GB/T 6617-1995 硅片電阻率測(cè)定 擴(kuò)展電阻探針法

GB/T 1552-1995 硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直排四探針法

本儀器配置各類測(cè)量裝置可以測(cè)試不同材料之電導(dǎo)率。液晶顯示，無需人工計(jì)算，并帶有溫度補(bǔ)償功能，電導(dǎo)率單位自動(dòng)選擇，BEST-300C 材料電導(dǎo)率測(cè)試儀自動(dòng)測(cè)量并根據(jù)測(cè)試結(jié)果自動(dòng)轉(zhuǎn)換量程，無需人工多次和重復(fù)設(shè)置。選配：配備軟件可以由電腦操控，并保存和打印數(shù)據(jù)，自動(dòng)生成圖表和報(bào)表。

本儀器采用4.3吋大液晶屏幕顯示，同時(shí)顯示電阻值、電阻率、方阻、電導(dǎo)率值、溫度、壓強(qiáng)值、單位自動(dòng)換算，配置不同的測(cè)試治具可以滿足不同材料的測(cè)試要求。測(cè)試治具可以根據(jù)產(chǎn)品及測(cè)試項(xiàng)目要求選購(gòu).

提供中文或英文兩種語言操作界面選擇，滿足國(guó)內(nèi)及國(guó)外客戶需求

電阻測(cè)量范圍：

電阻率： 1×10-6～2×106Ω.cm、

電阻：1×10-5～2×105Ω

電導(dǎo)率：5×10-6～1×108ms/cm

分辨率： 醉小1μΩ

測(cè)量誤差±5%

測(cè)量電壓量程：?2mV? 20mV? 200mV?2V?

測(cè)量精度±（0.1%讀數(shù)）

分辨率： 0.1uV 1uV 10uV 100uV

電流輸出：直流電流?0～1000mA?連續(xù)可調(diào)，由交流電源供電。

量程：1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，1000mA,?

誤差：±0.2%讀數(shù)±2字

主機(jī)外形尺寸：330mm*340mm*120mm

顯示方式：液晶顯示

電源：220±10% 50HZ/60HZ

標(biāo)配：測(cè)試平臺(tái)一套、主機(jī)一套、電源線數(shù)據(jù)線一套。

范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅片電阻率的擴(kuò)展電阻探針測(cè)量方法。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于側(cè)量晶體晶向與導(dǎo)電類型已知的硅片的電阻率和測(cè)量材底同型或反型的硅片外延層的電阻率，測(cè)量范圍，10-* n·cm～10' Ω·cm。

規(guī)范性引用文件下列文件中的條款通過本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn)，然而，敷勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究是香可使用這些文件的服本。凡是不注日期的引用文件，其版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。

CB/T1550 非本征率導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測(cè)試方法 GB/T 1552 硅、儲(chǔ)單晶電阻率測(cè)定 直排四探針法

GB/T 1555 半導(dǎo)體單晶晶向測(cè)定方法

GB/T 14847 重?fù)诫s襯底上輕摻雜建外延層厚度的紅外反射測(cè)顯方法

方法原到擴(kuò)展電阻法是一種實(shí)驗(yàn)比較法。